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SiC MOSFET 分立器件

碳化硅 MOSFET 具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅 MOSFET 器件替代傳統(tǒng)硅 IGBT 器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。主要適用于:光伏逆變、儲能、工業(yè)電源、新能源汽車、電機驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域。


宏微碳化硅 MOSFET 分立器件具有低開關(guān)損耗、高工作結(jié)溫、低導(dǎo)通電阻等特點,產(chǎn)品具備足夠的魯棒性。


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  • VDSS (V)
    • 1200

    重置篩選

  • ID (A)
    • 50

    重置篩選

  • RDS(on) (mΩ)
    • 40

    重置篩選

  • QGD (nC)
    • 25

    重置篩選

  • VGS,op (V)
    • -4/+18

    重置篩選

  • Qrr (nC)
    • 430

    重置篩選

  • Trr (ns)
    • 17.5

    重置篩選

  • Tjmax
    • 175℃

    重置篩選

  • Qualification
    • Industrial

    重置篩選

  • Packages
    • TO-247-4L

    重置篩選

Type
VDSS (V)
ID (A)
RDS(on) (mΩ)
QGD (nC)
VGS,op (V)
Qrr (nC)
Trr (ns)
Tjmax
Qualification
Packages
篩選
  • 1200

重置篩選

篩選
  • 50

重置篩選

篩選
  • 40

重置篩選

篩選
  • 25

重置篩選

篩選
  • -4/+18

重置篩選

篩選
  • 430

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篩選
  • 17.5

重置篩選

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  • 175℃

重置篩選

篩選
  • Industrial

重置篩選

篩選
  • TO-247-4L

重置篩選

1200 50 40 25 -4/+18 430 17.5 175°C Industrial TO-247-4L
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